| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201511015387.9 |
| 公开（公告）号 | CN105420573B | 公开（公告）日 | 2017-10-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 重庆大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种含微量稀土的高阻尼Mg‑Sn‑Ce合金及其制备工艺，该镁合金主要由Mg、Sn、Ce三种元素组成，包括分布于合金中的以下合金化元素成分及其百分比重量含量值：Sn=0.5%～3.5%，Ce=0.40%～0.49%，余量为镁和不可避免的杂质。本发明通过合理的成分设计Sn、Ce含量，并采取适当的熔炼工艺，制备出规律性的平行第二相组织，其有利于合金的阻尼性能。生产工艺中通过控制合金成分和熔炼工艺，可控制合金中的第二相形貌分布，能有效提高合金的阻尼性能(SDC=41%)，且密度低于2g/cm3。本发明工艺简单，可移植性强，且成本低，容易操作，可广泛应用于国防、民用行业，以达到轻量化和减振降噪的作用。 | ||
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