| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201510330692.0 |
| 公开（公告）号 | CN104878240B | 公开（公告）日 | 2017-10-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 大连理工大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料，所述添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料，包括重量配比如下的各组分：0.5‑2wt％的TiB2、0.02‑0.10wt％的La、余量为Cu。本发明通过合金化法，在Cu‑TiB2复合材料中添加一定量的稀土元素La，表面活性较高的La能使TiB2在生成阶段生成细小的TiB2颗粒，在复合材料凝固阶段分散TiB2颗粒，使之均匀弥散于铜金属基体中，因此获得了具有良好的综合性能的Cu‑TiB2铜基复合材料。经检测添加稀土La的原位TiB2增强铜基复合材料强度高，导电性佳。 | ||
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