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一种铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷的制备方法及应用 发明申请

2023-04-30 1430 1254K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN202010880114.5
公开(公告)号 CN114105629A 公开(公告)日 2022-03-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 厦门稀土材料研究所
简介 本发明提供了一种铬酸稀土基高熵陶瓷粉体,并将其多孔化,制备了铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷。利用纤维素和三聚氰胺造孔,提高了孔隙率,材料热导率降低至0.3W/mK以下,多孔化增加了陶瓷的韧性,而且通过对成孔剂的加入量、种类以及烧结温度的改变使得孔径在0.1‑25μm范围可控,在热电转化方面表现优异。本发明提供多种多孔高熵陶瓷制备方法,简单易行,合成的晶粒细小均匀;采用高温固相合成或溶胶‑凝胶法,流程简单而操作条件可控,易于产业化推广。


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