| 申请日期 | 2025-08-11 | 申请号 | CN201710497739.1 |
| 公开（公告）号 | CN107256795A | 公开（公告）日 | 2017-10-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 一种利用两步晶界扩散工艺制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤是：在洁净的商业烧结钕铁硼磁体表面铺覆低熔点合金扩散源R1‑R2‑TM薄带，其中，R1为La、Ce、Pr、Nd中任选，R2为Dy、Tb中的至少一种，TM为Cu、Al、Ti、Zn、Co、Ni、Fe中至少一种；经过650‑800℃热处理6‑24h，使Tb/Dy沿晶界向磁体内部扩散；850‑950℃热处理1‑4h，富集在晶界相的Tb/Dy向晶粒表层扩散，形成富Tb/Dy的壳层结构；450‑550℃退火1.5‑2.5h，进一步调整边界结构；最终得到高性能烧结钕铁硼磁体。本发明的优点是：充分利用Tb/Dy强化晶粒表面过渡层，提高矫顽力；缩短高温热处理时间，节约能源；避免晶粒异常长大；适用于较厚磁体。 | ||
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