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一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物及其制备方法 发明授权

2023-05-30 1230 446K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201610306895.0
公开(公告)号 CN105859759B 公开(公告)日 2017-10-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 江西理工大学
简介 本发明涉及一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物,其化学式为C4H6GdO8;本发明还提供其制备方法,包括以下步骤:将氧化钆、丙二酸、草酸和水加入至反应釜中;将上述混合物升温至150‑170°C,反应65‑80小时后,降温至18‑25°C,得到块状晶体;收集晶体,并依次使用水和乙醇进行洗涤,真空干燥后可得到低场大磁熵变的二维钆配位聚合物。该制备方法基于钆离子较大的自旋基态以及钆离子间较弱的磁相互作用,制得低场大磁熵变的二维钆配位聚合物,为制备低场大磁熵变的稀土配合物指明新的方向;该二维钆配位聚合物具有相对较小的分子质量自旋比和大的磁热效应,在磁制冷方面具有潜在应用价值。


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