| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN202111295013.2 |
| 公开（公告）号 | CN114122142A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | TCL华星光电技术有限公司 | ||
| 简介 | 本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板。薄膜晶体管包括第一半导体层。第一半导体层的材料为MInOx，其中，M选自钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。本申请的薄膜晶体管通过采用稀土掺杂的氧化铟作为有源层材料，能够提高光照稳定性。 | ||
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