| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN201680007651.0 |
| 公开（公告）号 | CN107210128A | 公开（公告）日 | 2017-09-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)准备R‑T‑B系烧结磁体素材的工序，将成形体以1000℃以上且1100℃以下的温度烧结后，在(条件a)10℃/分以下降温至500℃，或进行(条件b)在800℃以上950℃以下的第一热处理温度保持的第一热处理后，实施以10℃/分以下降温至500℃，所述R‑T‑B系烧结磁体原材含有27.5～34.0质量％的R(R为稀土类元素之中的至少一种且一定含有Nd)、0.85～0.93质量％的B、0.20～0.70质量％的Ga、0.05～0.50质量％的Cu、0.05～0.50质量％的Al，余量是T(T是Fe和Co，以质量比计，T的90％以上是Fe)和不可避免的杂质，并满足式(1)[T]‑72.3[B]＞0和式(2)([T]‑72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(其中，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)；2)热处理工序，将所述R‑T‑B系烧结磁体原材加热至650℃以上且750℃以下的第二热处理温度而进行第二热处理后，以5℃/分以上冷却至400℃。 | ||
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