| 申请日期 | 2025-08-02 | 申请号 | TW110124494 |
| 公开（公告）号 | TW202208703A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日商信越化学工业股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明的课题为提供一种难以产生破裂等之铋取代稀土类铁石榴石单结晶膜之制造方法。本发明的解决手段为有关本发明之铋取代稀土类铁石榴石单结晶膜之制造方法其系将组成式(3-)(5-)12表示之铋取代稀土类铁石榴石单结晶膜使用晶格常数之常磁性石榴石的基板育成。该铋取代稀土类铁石榴石单结晶膜之制造方法其系具备于基板的表面以5~30μ的厚度形成平均晶格常数(惟＞)的缓冲层之步骤、与重叠在缓冲层将作为平均晶格常数(惟＞)的目的之铋取代稀土类铁石榴石结晶膜育成100μ以上之步骤。其特征为在缓冲层之晶格常数变化率与在铋取代稀土类铁石榴石结晶膜之晶格常数变化率进行比较为陡峭。惟在前述组成式为选自为选自或镧系元素(、、、、、、、、、、、、及)中之元素及选自、、、中之微量元素为选自、、、、、、及中之1以上的元素。 | ||
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