| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201410729880.6 |
| 公开（公告）号 | CN104388952B | 公开（公告）日 | 2017-09-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 本发明属于稀土永磁材料领域，特别提供了一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法。其特征是烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素后，经过1－100MPa的高压热处理，以加速Dy/Tb元素在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗，从而获得高矫顽力磁体。具体工艺步骤是：先对钕铁硼磁体表面进行清洁处理，在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素，然后对其进行高压热处理，使Dy/Tb元素在磁体晶界快速扩渗，再经过中温热处理使磁体边界结构得到进一步改善，最终得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明的突出优点是：高压热处理可以加速Dy/Tb元素在晶界的扩渗，不仅可以处理厚度更大的样品，而且大大降低热处理温度和缩短热处理时间，显著提高效率。 | ||
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