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含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体及制备方法 发明授权

2023-04-15 2180 1097K 0

专利信息

申请日期 2025-09-18 申请号 CN202010732103.2
公开(公告)号 CN111952031B 公开(公告)日 2022-02-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 钢铁研究总院; 包头金山磁材有限公司
简介 本发明涉及一种含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体及其制备方法,该永磁体的化学成分按重量百分比成分为:[(PraNdb)cAld]x{[(PraNdb)eCef]g(Fe100‑k, TMk)hBi}y,其中,0≤a≤30,70≤b≤100,10≤d≤20, c+d=100;26≤f≤32,e+f=100;29.5≤g≤30.5,0.92≤i≤1.05,g+h+i=100;80≤kh≤200;0.5≤x≤3,x+y=100;TM为Cu、Al、Nb、Zr、Ag、Co中的一种或者几种元素,且不包含任何重稀土元素和镓元素;该永磁体的微观组织包括永磁主相、含Al的主相外延磁硬化薄层及Fe重量百分比小于40%的白色富稀土相。这种含Al的主相外延磁硬化薄层与永磁主相构成了双主相结构,抑制了Al大量进入永磁主相。本发明的方法可显著提高矫顽力,明显改善热稳定性,几乎不降低居里温度,剩磁下降不明显。


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