| 申请日期 | 2025-08-02 | 申请号 | CN201710229199.9 |
| 公开（公告）号 | CN107146816A | 公开（公告）日 | 2017-09-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明属于半导体材料与器件技术领域，公开了一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管。所述氧化物半导体薄膜由金属氧化物半导体薄膜中掺入少量稀土氧化物得到。所述薄膜晶体管包括栅极、氧化物半导体薄膜制备的沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层、以及分别连接在沟道层两端的源极和漏极。本发明的氧化物半导体薄膜材料及由其制备的薄膜晶体管具有非常优异的光照稳定性，而且具有制备工艺简单、适用性强的特点。 | ||
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