| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201680005275.1 |
| 公开（公告）号 | CN107112125A | 公开（公告）日 | 2017-08-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 因太金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的RFeB系烧结磁体制造方法具有如下工序：工序S1，将稀土元素R的含有率为26.5～29.5重量％的RFeB系合金块在700～1000℃温度的氢气氛中加热后，一边维持在750～900℃的温度一边在真空中进行HDDR处理，由此制作包含平均粒径为1μm以下的晶粒的多晶体的HDDR后原料合金块，所述平均粒径通过由电子显微镜图像求出的圆当量直径而得到；工序S2，在使HDDR后原料合金块与包含第2合金的接触物接触的状态下加热到700～950℃的温度，由此制作稀土含量高的原料合金块，所述第2合金的稀土元素R含有率高于所述RFeB系合金；工序S3，将稀土含量高的原料合金块微粉碎成平均粒径为1μm以下，由此制作原料合金粉末；取向工序S4，在模具中容纳原料合金粉末，不进行压缩成形地对该原料合金粉末施加磁场；烧结工序S5，将取向工序后的原料合金粉末加热到850～1050℃的温度。 | ||
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