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氮化硅衬底的制造方法 发明授权

2023-02-24 4500 1519K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201580014104.0
公开(公告)号 CN106132908B 公开(公告)日 2017-08-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日本精细陶瓷有限公司
简介 本发明提供一种氮化硅衬底的制造方法,其包括:原料粉末准备步骤,其准备含有硅粉末、稀土元素化合物、及镁化合物的原料粉末,其中,当将原料粉末中的硅换算成氮化硅时,该原料粉末含有以氧化物计1摩尔%以上7摩尔%以下的稀土元素化合物,并含有以氧化物计8摩尔%以上15摩尔%以下的镁化合物;片材成形步骤,其将原料粉末成形为片状而形成片材体;氮化步骤,其在氮气氛中以1200℃以上1500℃以下对片材体进行加热,将包含在片材体中的硅氮化;以及烧结步骤,其在氮气氛下对完成了氮化步骤的片材体进行烧结。


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