| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201710243005.0 |
| 公开（公告）号 | CN107093516A | 公开（公告）日 | 2017-08-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种提高钕铁硼磁体矫顽力和热稳定性的晶界扩散方法，属于稀土永磁材料领域。本发明将低熔点四元合金Dy‑Ni‑Al‑Cu作为扩散源，将其熔炼制备成速凝薄带，经粗破碎后铺在钕铁硼磁体的周围，然后采用热处理的方法使其沿晶界扩散进入磁体内部。经过本发明的处理后，扩散磁体的矫顽力得到大幅度提升，并且磁能积得到一定程度的提高；同时，因为扩散处理的温度低，可以减少能耗，降低成本，并阻止Nd2Fe14B晶粒的长大；相对于涂覆和磁控溅射的方法，本发明省去了涂覆工艺中制粉和涂覆的过程以及磁控溅射工艺中制备薄膜的过程。经过本发明的工艺处理后，最终得到高矫顽力高热稳定的钕铁硼磁体。 | ||
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