| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN201680003212.2 |
| 公开（公告）号 | CN107077965A | 公开（公告）日 | 2017-08-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 准备R‑T‑B系烧结磁体原材料和Pr‑Ga合金。烧结磁体原材料含有R：27.5～35.0质量％(R为稀土元素中的至少一种，必包含Nd)、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％(M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种)、剩余部分T(T为过渡金属元素的至少一种，必含有Fe，Fe的10％以下可以被Co置换)和不可避免的杂质。将T的含量(质量％)设为[T]、B的含量(质量％)设为[B]时，满足[T]/55.85＞14[B]/10.8。使烧结磁体原材料表面的至少一部分与Pr‑Ga合金的至少一部分接触，在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理。在低于第一热处理温度的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理。 | ||
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