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半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻 发明申请

2023-04-10 4670 916K 0

专利信息

申请日期 2026-04-24 申请号 CN201710067787.7
公开(公告)号 CN107043252A 公开(公告)日 2017-08-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧,25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为:在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中,Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代,并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代,在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时,满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43;0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25;0<(RE含量+TM含量)≤0.01,并且在晶体粒径为1.1~4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值,该峰值的分布频率为20%以上。


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