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永磁2T磁路设计方法 发明申请

2023-01-18 1600 105K 0

专利信息

申请日期 2025-07-26 申请号 CN201710215157.X
公开(公告)号 CN107017074A 公开(公告)日 2017-08-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 李勇军
简介 本发明申请属于磁力研究与应用领域,具体是一种稀土永磁体通过铁铠和极头聚集磁通而产生的高磁感应强度的方法,可用于试验研究和工业生产。常温2T磁感应强度在电磁领域容易实现,并已广泛应用,但由于其耗电量大,结构复杂,冷却系统复杂,限制其应用,低温超导技术能取得很高磁场,又需要庞大的低温设备来保障运行,本发明申请是一种常温永磁磁系的设计方法,目标是在常温下实现大于或者接近2T的磁感应强度。


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