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COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 发明申请

2023-09-12 2190 179K 0

专利信息

申请日期 2026-03-15 申请号 US15515120
公开(公告)号 US20170217783A1 公开(公告)日 2017-08-03
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 LG CHEM LTD
简介 Disclosed is a compound semiconductor material with excellent performance and its utilization. The compound semiconductor may be expressed by Chemical Formula 1 below : [in-line-formulae]M1aCo4Sb12-xM2x   Chemical Formula 1 [/in-line-formulae] where M1 and M2 are respectively at least one selected from In and a rare earth metal element, 0≦a≦1.8, and 0≦x≦0.6.


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