| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201510377818.X |
| 公开（公告）号 | CN104911693B | 公开（公告）日 | 2017-07-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 长安大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为：一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比Eu : Pd : Si＝(33.3+X) : (16.7‑X) : 50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。 | ||
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