| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201710171406.X |
| 公开（公告）号 | CN106981560A | 公开（公告）日 | 2017-07-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 苏州科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法。在清洗后的n‑Si (111)片衬底上，采用化学气相沉积方法，以Er(NO3)3作为Er掺杂剂对MoS2进行掺杂，按质量比，MoS2：Er(NO3)3为 5 : 1～1 : 1，得到一种铒掺杂的硫化钼薄膜。稀土元素具有良好的发光特性，本发明提供的铒掺杂的硫化钼薄膜，以稀土元素铒作为激活中心，掺杂多层硫化钼薄膜，在MoS2薄膜中作为激活元素起到发光中心的作用，激活硫化钼薄膜的发光，提高MoS2薄膜的光吸收和辐射发光的几率，有效提高了硫化钼薄膜发光强度。 | ||
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