| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201510323617.1 |
| 公开（公告）号 | CN104878358B | 公开（公告）日 | 2017-07-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备，包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层，掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素，钇的原子百分比为1％‑8％，钒的原子百分比为20‑40％，其余为氧元素。本发明的制备方法是采用低浓度钇钒合金靶反应溅射或采用高浓度钇钒合金靶和纯金属钒靶双靶共反应溅射的方法制备氧化钒热敏薄膜材料。本发明制备的产品电阻温度系数高、噪声系数小，可提高非制冷焦平面阵列器件的灵敏度；且其方阻稳定性高，可与器件微机电系统工艺兼容；此外产品中掺钇氧化钒薄膜为非晶结构，其电阻温度特性无相变特征，可以避免热滞噪声问题。 | ||
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