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一种R‑T‑B永磁体的制备方法 发明授权

2023-03-19 4550 1406K 0

专利信息

申请日期 2025-07-16 申请号 CN201410800303.1
公开(公告)号 CN105469973B 公开(公告)日 2017-07-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京中科三环高技术股份有限公司
简介 本发明提供一种R‑T‑B永磁体的制备方法,所述制备方法的主要步骤是:1)原材料经过熔化,浇铸,得到条带片;2)将条带片进行氢爆处理,得到中碎粉;3)将中碎粉进行气流磨制粉;4)在密封垂直压机中进行压制成型;5)在真空或惰性气体气氛中实施预烧结;6)将预烧坯机加工成所需的形状;7)涂覆处理:将重稀土化合物粉末分散于有机溶剂中形成浆液,将预烧坯浸渍于浆液中,然后将处理后的预烧坯放入料盒中;8)在820‑950℃进行二次烧结并同时进行重稀土元素的一次扩散,冷却后,在450‑620℃温度范围内进行重稀土元素的二次扩散,冷却得到R‑T‑B永磁体。根据该制备方法制备得到的永磁体,剩磁、矫顽力得到了显著提高,方形度得到了明显改善。


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