| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201610000962.6 |
| 公开（公告）号 | CN106939162A | 公开（公告）日 | 2017-07-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 内蒙古大学 | ||
| 简介 | 一种SiO2@ Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法。以粒径为500nm的SiO2微球为内核，用phen-Si修饰。以亚砜和高氯酸铽有机配合物为包覆层，合成SiO2@ Tb(phen-Si)L核-壳型稀土纳米发光复合物。本发明属于稀土有机发光材料领域。主要解决的问题是将以往的SiO2掺杂类型的稀土发光材料做成核壳型稀土发光材料。具体方法是用硅烷偶联剂phen-Si做“分子桥”，使其一端与硅球连接， 另一端的双N原子与稀土Tb3+配位，同时亚砜配体也可以与Tb3+配位，结果在phen-Si修饰的SiO2微球外层包覆上稀土亚砜配合物，得到两种新的SiO2(500)@Tb(Phen-Si) L(20) ，SiO2(500)@Eu(Phen-Si)L(100)的SiO2核壳结构纳米发光复合材料。本发明材料制备方法简单，稀土有机配合物包覆层为纳米级，故高纯稀土用量极少，成本低。同时获得了发光性能优异的核壳结构纳米发光材料。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
