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钕铁硼磁体及其制备方法 发明申请

2023-09-29 4000 509K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201710217643.5
公开(公告)号 CN106920620A 公开(公告)日 2017-07-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京京磁电工科技有限公司
简介 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法,所述钕铁硼磁体由经熔炼后的第一合金和第二合金混合后烧结而成;其中,所述第一合金的成分的质量百分比为:Pr‑NdxByDyzCux1Cox2Fe100‑x‑y‑z‑x1‑x2,其中23≤x≤30,0.88≤y≤1.1,1≤z≤8,0.05≤x1≤0.2;0.05≤x2≤2;所述第二合金的成分的质量百分比为:Pr‑NdxByDyzCux1Cox2Fe100‑x‑y‑z‑x1‑x2,其中29≤x≤33.5,0.88≤y≤1.1,0≤z≤3,0≤x1≤0.5,0≤x2≤2。其采用两种合金配方配粉的方法,能够有效降低重稀土元素的使用量,从而降低生产成本,且能够获得高性能的钕铁硼磁体。


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