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一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法 发明申请

2023-08-01 2790 337K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN202111608861.4
公开(公告)号 CN114068121A 公开(公告)日 2022-02-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 余姚市宏伟磁材科技有限公司
简介 本申请涉及稀土永磁体的技术领域,更具体地说,它涉及一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体,由包括以下重量百分比的原料制成:28‑33%Nd、1.1‑1.2%B、62‑67%Fe、0.6‑0.8%Gd、0.6‑0.8%Dy、0.1‑0.15%Co、0.05‑0.1%Cu、0.03‑0.06%Ga,余量为不可去除的杂质。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体的制备方法,包括以步骤:(1)原料准备及预处理、(2)熔炼、(3)氢爆制粉、(4)成型取向、(5)烧结、(6)镀锌、(7)镀膜。本申请的低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法具有提高烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性的优点。


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