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半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法 发明申请

2023-03-25 1840 542K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN202010765703.9
公开(公告)号 CN114068274A 公开(公告)日 2022-02-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
简介 一种半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法,其中,所述半导体零部件包括:半导体零部件本体;耐腐蚀涂层,位于所述半导体零部件本体的表面,由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成,且所述结晶相与非晶相位于同一层,非晶相弥散在结晶相中。所述半导体零部件应用在先进的制程中能够降低颗粒污染问题。


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