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R‑T‑B系磁体用原料合金 发明授权

2023-06-27 1990 1481K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201480023759.X
公开(公告)号 CN105189805B 公开(公告)日 2017-06-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社三德
简介 在R‑T‑B系磁体用原料合金(其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T为以Fe作为必须的1种以上过渡元素)中,通过包含作为主相的R2T14B相和R被浓缩了的富R相、富R相的间隔为10μm以上且富R相的椭圆长短比为0.6以上,被粉碎的微粉的流动性优异、能够得到复杂形状的烧结磁体。R‑T‑B系磁体用原料合金含有Dy和Tb中的任一者或两者来作为R时,主相中的Dy与Tb的总浓度A除以富R相中的Dy与Tb的总浓度B而得的百分比(A/B)期望为180%以上。另外,富R相的杂质浓度D除以主相的杂质浓度C而得的百分比(D/C)期望为230%以上。


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