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半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 发明申请

2023-06-03 1260 588K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN202010777454.5
公开(公告)号 CN114068276A 公开(公告)日 2022-02-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
简介 本发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种半导体零部件,包括零部件本体,零部件本体表面具有耐等离子体涂层,耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物、氧氟化物或氟化物中的一种或多种,其中一种稀土元素为铈元素,铈元素使氧空位的活性较高,活性较高的氧空位能够分解等离子体环境中的碳氟聚合物。由于铈元素具有化学价态可调的性质,并且在等离子体反应装置中的工作环境下,具有易释放晶格氧和恢复晶格氧的特点,因此在刻蚀过程中能够将碳氟聚合物分解为气体,将等离子体作用下生成的氟化物还原为氧化物,进而防止碳氟聚合物和氟化物以颗粒的形式脱落,避免反应腔内环境污染。


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