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一种纳米氧化铈形态及晶面的原位控制方法 发明申请

2023-05-07 3610 517K 0

专利信息

申请日期 2025-08-17 申请号 CN201710133479.X
公开(公告)号 CN106904649A 公开(公告)日 2017-06-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 江西理工大学
简介 一种纳米氧化铈形态及晶面的原位控制方法,属于稀土纳米材料技术领域。以有机醇类为分散剂,结合空化效应对纳米模板进行分散与剪切。以碱性物质为铈源沉淀剂,通过调节分散剂的粘度和表面张力,控制纳米模板的尺寸及其在反应体系中的聚集状态,使铈前驱体在纳米模板表面吸附并择优取向生长,最终调控氧化铈各个晶面的生长速度,实现对纳米尺寸范围内氧化铈形态及晶面的调控。本发明制备工艺简单,反应条件温和,反应原料易得,由于未加入任何表面活性剂,且加入的纳米模板经煅烧氧化无残留且消耗了部分氧,得到纯净氧化铈的同时可增加其氧空位浓度,应用前景广泛。


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