| 申请日期 | 2025-08-11 | 申请号 | CN201611019131.X |
| 公开（公告）号 | CN106910740A | 公开（公告）日 | 2017-06-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | ||
| 简介 | 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。 | ||
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