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一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉激发光谱的调变方法 发明申请

2023-07-27 4030 529K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201710088404.4
公开(公告)号 CN106883853A 公开(公告)日 2017-06-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西北工业大学
简介 本发明提供了一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉激发光谱的调变方法,用便宜的锰钴镍铜铁锌钛钡锆的金属氧化物等负温度系数半导体纳米粉体,替代资源稀缺的稀土,实现对荧光材料发射波长范围的调整;采用原料来源更容易得到、更廉价和更多储量的过渡金属复合氧化物等材料替代资源稀有的部分稀土功能的作用;通过添加原料廉价的负温度系数半导体纳米粉体材料,来实现过去稀土离子或者化合物才能实现的光谱调变,获得需要激发的白光或者高显色性的光源,负温度系数半导体NTC纳米粉体也可以对于280‑650nm波长LED芯片的激发都能起到调节作用。


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