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氮化硅陶瓷的制备方法 发明申请

2023-09-08 2850 285K 0

专利信息

申请日期 2026-03-10 申请号 CN201710114193.7
公开(公告)号 CN106866154A 公开(公告)日 2017-06-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
简介 本发明提出了一种氮化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:1)按重量份数计算,称取氮化硅70~80份、稀土氧化物5~10份与烧结助剂1~4份混合均匀,加入至球磨机中,形成混合粉料,然后在电热真空干燥箱中110~120℃温度下连续干燥,完全干燥后在温度为‑20℃~0℃条件下,氢气气流中过筛,得到复合粉料;2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中,抽真空后进行放电等离子烧结,加热速度为12~15K/s,加热温度为1450~1700℃,保温时间为3~8min,获得致密的氮化硅陶瓷;其中,所述烧结助剂为氧化铝与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒,提高热导率。


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