| 申请日期 | 2025-08-15 | 申请号 | CN201910326357.1 |
| 公开（公告）号 | CN110021481B | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东华理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种制备人工反铁磁体复合材料的方法，要解决的是现有人工反铁磁复合材料方法的成本昂贵和制备周期长的问题。本发明具体步骤如下：步骤一，将镶嵌靶放入真空溅射室的靶位，将基片固定在真空溅射室的基片台上，向真空溅射室通入工作气体，形成真空度；步骤二，在基片上溅射缓冲层；步骤三，在缓冲层上溅射生长亚铁磁层I，基片自然冷却；步骤四，在亚铁磁层I上继续溅射生长亚铁磁层II，最后在基片上溅射生长保护层，即得到成品。本发明在稀土‑过渡合金薄膜中通过直接制备生长的样品层间界面处的直接交换耦合作用，工艺简单，成本低廉，制备周期短，重复性好，可应用于磁电及磁传感器件和超快高密度存储领域中。 | ||
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