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一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法 发明授权

2023-02-17 4280 270K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 CN201610024409.6
公开(公告)号 CN105489334B 公开(公告)日 2017-06-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京科技大学
简介 一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法,属于稀土磁性材料技术领域。本发明将烧结钕铁硼磁粉进行半致密化烧结,致密度为90%‑95%;再将低熔点镝合金扩散源覆盖在半致密化烧结钕铁硼周围在真空烧结炉中1040‑1080℃烧结2‑3h,再经过900‑940℃一级回火1‑3h和480‑550℃二级回火2‑4h,制备得到高磁性烧结钕铁硼材料。在半致密化钕铁硼致密化烧结过程中,扩散源熔化为液态包覆在半致密化钕铁硼表面,加速Dy、Cu、Al、Ni等元素在晶界的扩散,提高扩散层的深度。扩散源在烧结过程中直接进行晶界扩散,扩散更均匀,不需要再单独进行晶界扩散热处理,也可以省去制成细粉并表面涂覆的过程。


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