| 申请日期 | 2025-07-03 | 申请号 | CN201710059833.9 |
| 公开（公告）号 | CN106835270A | 公开（公告）日 | 2017-06-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将制备稀土闪烁晶体的氧化物原料进行混合后，得到混合原料；然后将上述步骤得到的混合原料经过三级清洗沉降处理步骤后，得到清洗后的混合原料；随后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的清洗后的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明采用多级阶梯沉降的方式进行沉降，不仅能够有效的去除各种氧化物原料中的可溶性盐杂质，而且还能最大的减小清洗过程中的损耗量，从而起到了降低生长周期的作用，并且能够提高晶体成品率，降低生产成本。 | ||
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