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一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法 发明授权

2023-06-21 3260 516K 0

专利信息

申请日期 2025-07-04 申请号 CN201410682495.0
公开(公告)号 CN104388951B 公开(公告)日 2017-06-06
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学
简介 本发明涉及一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法,将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起,放在热压炉中;对热压炉抽真空,待真空度达到设定值,对热压炉升温,当温度达到设定值时,开始施加压力并保压;将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理;扩散合金片为低熔点共晶扩散合金,表示为R‑TM,R为Sc、Y、La、Ce、Pr或Nd中的一种或几种,TM为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种。与现有技术相比,按照本发明提供的加压扩散方法改性后的烧结钕铁硼磁体具有扩散剂扩散深度大,晶界相分布均匀,矫顽力高等优点。特别是本发明设计出的低熔点扩散合金不含贵重的重稀土元素镝,原料成本相对低廉,扩散温度低,扩散过程中能耗少。


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