| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201510469157.3 |
| 公开（公告）号 | CN105112816B | 公开（公告）日 | 2017-05-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 河北工业大学 | ||
| 简介 | 本发明掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的磁性材料，步骤是：按照原料配比式(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix(x＝0.1～8.0)配制原料；熔化原料制备母合金铸锭；(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的制备；对(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体进行等温退火处理，最终制得掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金。本发明克服了现有技术制备低Sm含量的Sm‑Co型非晶磁性合金很难得到非晶的缺陷，进一步提高了Sm‑Co型非晶合金的室温矫顽力。 | ||
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