| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | CN201710114192.2 |
| 公开（公告）号 | CN106747474A | 公开（公告）日 | 2017-05-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提出了一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂2～6份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为10～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝、氧化锰与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。 | ||
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