| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | US16485381 |
| 公开（公告）号 | US11251310B2 | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 公开国别 | US | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | IDEMITSU KOSAN CO LTD | ||
| 简介 | An oxide semiconductor film contains In, Ga, and Sn at respective atomic ratios of 0.01≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30 . . . (1), 0.01≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.40 . . . (2), and 0.55≤In/(In+Ga+Sn)≤0.98 . . . (3), and a rare-earth element X at an atomic ratio of 0.03≤X/(In+Ga+Sn+X)≤0.25 . . . (4). | ||
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