| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201710060012.7 |
| 公开（公告）号 | CN106757354A | 公开（公告）日 | 2017-05-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了稀土闪烁晶体生长工艺中生长参数的计算方法及低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将制备稀土闪烁晶体的氧化物原料进行混合后，得到混合原料；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，依据计算方法所计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，通过特定的模拟、推演和计算方法，得到热力学允许的最快生长速率、提拉生长速率和晶体旋转速率等生长参数。该生长工艺，能耗低，贵金属损耗少，生长过程时间短，晶体成品率高，具有明显的低成本优势。 | ||
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