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一类中温热电晶体材料及其制备方法和用途 发明申请

2023-04-05 4290 548K 0

专利信息

申请日期 2025-07-23 申请号 CN201710046540.7
公开(公告)号 CN106757368A 公开(公告)日 2017-05-31
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院福建物质结构研究所
简介 本发明涉及一类晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为RECuTe2,RE为稀土元素Ho或Er,且空间群为该晶体材料为纯相结构,具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异,在750K时热导率为0.55–0.59W/m·K,电导可达143–166S/cm,塞贝克系数可达199–211μV/K,ZT值为0.84–0.87,可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。


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