| 申请日期 | 2025-07-27 | 申请号 | CN201611101093.2 |
| 公开（公告）号 | CN106783124A | 公开（公告）日 | 2017-05-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种晶界扩散Al‑Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，属于稀土磁性材料领域。该方法将低熔点高电位Al‑Cu合金普通铸锭粗破、球磨后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理和退火热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Al‑Cu的薄层，从而获得高耐腐蚀性钕铁硼磁体。本发明以Al‑Cu合金作为扩散源，可以避免直接在铸锭中添加Al、Cu元素，非磁性Al、Cu进入主相产生磁稀释作用，降低磁体的剩磁；还能同时提高磁体的耐腐蚀性能和磁性能，因为晶界扩散能提高晶界相化学稳定性，优化显微结构，改善晶界相的分布，提高磁体密度。 | ||
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