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化合物半导体及其制备方法 发明申请

2023-09-18 1930 819K 0

专利信息

申请日期 2025-07-17 申请号 CN201580052778.X
公开(公告)号 CN106796980A 公开(公告)日 2017-05-31
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社LG化学
简介 公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示:< 化学式1> M1aCo4Sb12‑xM2x,其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中,并且0≤a≤1.8且0< x≤0.6。


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