| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201611131470.7 |
| 公开（公告）号 | CN106673660A | 公开（公告）日 | 2017-05-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法，所述方法包括：以SiC粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体为原料，制备得到浆料，所述Al2O3粉体的粒径小于1μm，所述Y2O3粉体的粒径小于1μm；将所得浆料喷雾造粒、成型后得到坯体；将所得坯体真空脱粘后于常压惰性气氛中，在1800～2000℃下烧结1～2小时，得到所述SiC非线性电阻陶瓷。本发明采用液相烧结的方法制备的SiC非线性电阻陶瓷，由于引入低共熔稀土氧化物烧结助剂(Al2O3粉体和Y2O3粉体的粒径都小于1μm)，可以实现较低烧结温度SiC陶瓷的致密化。 | ||
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