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一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法 发明申请

2023-06-19 4760 690K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201611131470.7
公开(公告)号 CN106673660A 公开(公告)日 2017-05-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法,所述方法包括:以SiC粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体为原料,制备得到浆料,所述Al2O3粉体的粒径小于1μm,所述Y2O3粉体的粒径小于1μm;将所得浆料喷雾造粒、成型后得到坯体;将所得坯体真空脱粘后于常压惰性气氛中,在1800~2000℃下烧结1~2小时,得到所述SiC非线性电阻陶瓷。本发明采用液相烧结的方法制备的SiC非线性电阻陶瓷,由于引入低共熔稀土氧化物烧结助剂(Al2O3粉体和Y2O3粉体的粒径都小于1μm),可以实现较低烧结温度SiC陶瓷的致密化。


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