| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201611142884.X |
| 公开（公告）号 | CN106645064A | 公开（公告）日 | 2017-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南师范大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种受激辐射损耗方法、超分辨成像方法及显微成像装置。所述受激辐射损耗方法利用近红外光在稀土掺杂上转换纳米材料的激活剂中引起受激辐射，使涉及上转换过程的一个或多个特定能级粒子受迫跃迁至低能级，从而实现对上转换纳米材料上转换发光的高效率光控损耗。基于该受激辐射损耗方法，提出将近红外损耗光利用空间相位调制板调制为空心光束，与激发光束进行准直共轭聚焦后实现对稀土掺杂上转换纳米材料及其标记样品的超分辨成像。基于该超分辨成像方法，搭建由激发光生成模块、损耗光生成模块、偏振分光棱镜、多光子显微扫描模块和光电探测模块组成的显微成像装置，获得低成本、低复杂度、高分辨率、简便、有效的实时动态三维图像。 | ||
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