| 申请日期 | 2025-08-14 | 申请号 | CN201611236249.8 |
| 公开（公告）号 | CN106601403A | 公开（公告）日 | 2017-04-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京磁新材料有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，其包括：利用磁控溅射工艺，在烧结制成的钕铁硼磁体毛坯的表面上溅射一层1 8μm厚的稀土金属薄膜。利用磁控溅射工艺在磁体表面形成的Dy/Tb薄膜，通过晶界扩散渗Dy/Tb进入到Nd2Fe14B晶粒的表面层中，增强其各向异性，从而在保证磁体剩磁几乎不变的情况下，大大提高磁体矫顽力。 | ||
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