| 申请日期 | 2026-01-14 | 申请号 | CN201480081407.X |
| 公开（公告）号 | CN106575655A | 公开（公告）日 | 2017-04-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 英特尔公司 | ||
| 简介 | 薄膜电阻式存储器材料堆叠体包括在第一电极与薄膜存储器材料的界面处的高功函数金属氧化物、以及在第二电极与薄膜存储器材料的界面处的低功函数稀土金属中的至少一种。针对高导通/关断电流比，高功函数金属氧化物相对于存储器材料提供良好的肖特基势垒高度。金属氧化物与开关氧化物的相容性降低了氧/空穴的循环损失，以改善存储器器件的耐久性。低功函数稀土金属提供高氧溶解度以增强在沉积状态下在存储器材料内的空穴产生，以用于在提供与电阻式存储器材料的欧姆接触的同时实现低形成电压要求。 | ||
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