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一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法 发明申请

2023-10-26 3270 936K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN202111297810.4
公开(公告)号 CN114015983A 公开(公告)日 2022-02-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 之江实验室
简介 本发明公开了一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法,包括衬底,位于所述衬底上的亚铁磁合金薄膜, 位于所述亚铁磁合金薄膜上的MgO薄膜, 位于所述MgO薄膜上的Pt薄膜;制备方法包括以下步骤:S1:在真空及高纯度氩气条件下,以过渡族磁性金属Co和稀土金属Tb为靶材,采用超高真空磁控溅射技术在衬底上共溅射Co和Tb得到CoTb亚铁磁合金薄膜层;S2 : 在真空及高纯度氩气条件下,以MgO陶瓷为靶材,采用超高真空磁控溅射技术在所述合金薄膜层上沉积MgO得到MgO薄膜层;S3:在真空及高纯度氩气条件下,以金属Pt为靶材,采用超高真空磁控溅射技术在所述MgO薄膜层上沉积Pt得到Pt薄膜层。本发明在粗糙度很大的铝箔片和柔性衬底上都能保持较好的垂直各向异性。


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