| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN202111254057.0 |
| 公开（公告）号 | CN114019762A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种激光倏逝波近场干涉量子光刻制备纳米阵列的方法，属于光电技术领域。该方法首先将金属离子与稀土离子掺杂到光刻胶中，得到可在倏逝驻波光的作用下实现量子空间限制作用的复合离子掺杂光刻胶；然后将复合光刻胶旋涂在衬底上，通过多次旋涂和烘干，得到均匀、厚度较薄的光刻胶镀膜；再通过构建激光倏逝驻波近场干涉量子光刻系统，基于近场周期倏逝驻波光场与掺杂光刻胶的量子多光子曝光原理，进行激光倏逝驻波近场干涉量子光刻，得到纳米阵列。制备的纳米阵列具有周期可调、单元结构尺寸小、宏观量子性能优异等优势，使得纳米阵列器件具备优异的宏观量子效应性能。 | ||
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