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一种可见光光敏电阻及其制作方法 发明授权

2023-09-25 1840 729K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201510647858.1
公开(公告)号 CN105206700B 公开(公告)日 2017-03-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南阳师范学院
简介 本发明公开了一种可见光光敏电阻及其制作方法,采用稀土氯化物取代CuCl2,通过在光敏层材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比为0.1%的稀土氯化物,稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种或两种以上的混合物,并调整CdS、CdSe和CdCl2三种材料的配比,稀土氯化物含量很小,不会影响可见光光敏电阻的材料成本,且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三种材料组合在一起可以增加可见光光敏电阻的暗电阻,减小可见光光敏电阻的亮电阻;优点是可以提高可见光光敏电阻的灵敏度,并且稀土氯化物稳定性较高,可见光光敏电阻在老化工艺中不容易产生变化,不会导致可见光光敏电阻其它性能参数降低,可见光光敏电阻老化工艺中稳定性较高,废品率大幅降低。


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